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Problemas Resolvidos em Eletrônica: Introdução - Listas Práticas Preparatórias, Notas de estudo de Engenharia Elétrica

Documento contendo soluções de problemas relacionados à introdução à eletrônica, com foco em dispositivos de transistor mosfet e circuitos transistorizados. As questões abordam identificação de dispositivos, condições de operação, desenho de símbolos, correntes e tensões, ganhos de amplificação e impedâncias de saída.

Tipologia: Notas de estudo

Antes de 2010

Compartilhado em 13/12/2009

marylia-gutierrez-11
marylia-gutierrez-11 🇧🇷

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Baixe Problemas Resolvidos em Eletrônica: Introdução - Listas Práticas Preparatórias e outras Notas de estudo em PDF para Engenharia Elétrica, somente na Docsity! PSR2223 — Introdução à Eletrônica Terceira Lista Prática Preparatória GABARITO 1) (Prova SUB 2000) - Dada a estrutura polarizada conforme indicado abaixo: Vos Responder e justificar os seguintes itens: a) Identificar o tipo de dispositivo: nMOS - b)Identificar a condição ou modo de operação: sr Saturação (existe ponto de estrangulamento (pinch-off) | c)Desenhar o símbolo do dispositivo; - Veja abaixo. d)Justificar o formato da região de depleção: Junção de dreno está reversamente polarizada com Vps, a junção de fonte está polarizada com 0V e a região de depleção sob a porta varia devido ao potencial crescente ao longo do canal de 0 a Vps. e)Justificar os sinais das tensões Vps € Vos. Vos e Ves são positivos. Vos é positivo para assegurar junção de dreno reversamente polarizada. Vcs é positivo e maior que Vt para assegurar a formação do canal. 1) Esboçar a mesma acima, mas agora na situação de corte: Vos < Vr c) Desenhar o símbolo do dispositivo; Vos e D Tea s úxido . N G ss N stP N Vos IF —— É N N s Região de depleção 2) (Prova 2004) - 2, (Prova ad BJNo circuito abaixo, dados V;= 1V, k = 0,2 mA/V2, WIL =10, Rs = 0,25, Vno = 20V e adotando Rov//Roa = 0,75 MO: . Eta Equações np Yom E 8) Saturação: ada io =X (vos-WP(1+AVos) b) Triodo: Ip= Pl —W)Vps a) c) Transcondutância w Em= ku (Vos - Ye) d) Resistência de saída cm D a) Projete o circuito para obter o ponto quiescente Vp = 10V e Ip = 4mA considerando À, = 0. O transistor está em triodo ou saturação ? (1,5) Surolo TRANSigTor MA SETURAÇAO : Vol = > olma) = 4, [Ves-4) = q + tab o = “ [ho=3V Vaz = 3y bp = (do -W)/a, [= 25u2 026 — [EDS] Gi Visa RL = 3+2=5V Rg Vp =5V Rgi= 3Me.| RanRaz [B= 3ue Rate « ots.10º faz =4 Ra — [faz = Me Rai+ Ra2, b) Calcule gy e 1, considerando 1x0 c VA =- 500 V. E = PO RAE qro (as) = um pn= Tmalv Iva a = e = Ask 9 to = |28kg No = 4) (Baseado na prova REC 2001) Dado o circuito transistorizado mostrado na figura abaixo e sabendo-se que unCox = 50 mA/V?, W/L =20, Vi=1 V, Vcc= 15V, Rs=2kQ, Rp = 49,5 Q. Sabe- se que o transistor está operando na saturação. Voc Ep I D Rã é —— Ah “ps l Vos - Re Is “Nec a) Desprezando-se o efeito de modulação de canal (À = 0), determine a corrente Ip, as tensões Vps € Vos €, O parâmetro gm. Na malha de porta: Iç=0e Vc =0. Portanto: Voc = R$lp + Vos —> Io(1mA )= (15 = Vos )/2 (1) e 1-W 51 o , > IA mA)= at es -VJ= 750. 10.20(Vss — 1) = 500(Vis = 1) (2) Igualando-se (1) e (2): 500(Vis — 1) =(15-Vis )/2 ou 1000V5, — 2001V., + 985 = 0 Portanto, Vos E L127V Substituindo em (1): Io(mA)=(15-1127)/2=6937mA e Vos = 2Vec— R$1p— Rp1p = 30- 2x6,937 — 0,495x6,937 = 12,69V gn=k, Vos -V)=50x10".20(1,127-1)—> g, = 0,1278 b) Supondo que seja inserida uma fonte de sinal senoidal v; no ponto G através de um capacitor de acoplamento de valor elevado e tomando a saída no dreno em relação ao terra, determine o ganho A, = va/vi. r,= paraA=0 Para a configuração fonte comum com resistor de fonte apresentada em aula temos: va BukRp Mr) —0,127x495 A, =-0247V /V vo 1+g,R$ 1+0,127x2000 A = 5) (Baseado na la. prova 2002) - Dado o amplificador abaixo na configuração fonte comum: Von Dados: RES WL=2 , ka'= ImA/V? vw V=IV Ip= ImA Vpp = 20V vs Vps = 10V ro= VA/lp Va =40V 5) (Baseado na la. prova 2002) - Dado o amplificador abaixo na configuração fonte comum: a) Justifique porque esta configuração é chamada “fonte comum”. Sob o ponto de vista de análise de sinal, a fonte está aterrada e é um ponto comum entre o sinal aplicado na entrada e o sinal extraído na saída. b) Calcule o ganho Ay = vo/vi = Va/Vgs. Observa-se que vlss = 0. Sob o ponto de vista de sinal devemos curto-circuitar "Vpp" e "Ves" e substituir o modelo incremental no lugar do transistor como segue: l,= RV -V)=ImA= DIO!2(Vos sv =2V m 8.6 Vos -V)= 1022-156, =2ms nota IV gro 1, 1 p= Los = 10V =10k2 Ip mA o Gy="2=-g,(Rp// 1,)=-2.10*(40k0 // 10:02) —G, =-16V /V Vas c) Deduza a expressão da impedância de saída r; vista depois de Rr e calcule o seu valor numérico Regra: Curto-circuitar "vos" e aplicar um gerador imaginário "v," na saída de forma a medir " ix" e obter: r="E=1,WRy = 40KQ//10kO=8kQ
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